Siège de la sic : 一、碳化硅（sic）外延的基本介绍 1、基本概念 在半导体制造领域，“外延” 指的是在单晶衬底上生长一层与衬底具有相同晶体结构的单晶薄膜的过程。 碳化硅外延就是以碳化硅（sic）单晶. Du lundi au vendredi de 7h30 à 16h caisse :
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